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2006『차세대 노광장치』기술 및 시장ㆍ특허분석보고서
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| 저자 |
: |
한국특허정보원
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| 출판사 |
: |
한국특허정보원 |
| 출판년도 |
: |
2006.07.01 |
| 페이지수 |
: |
90
( 권수 : 1 )
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| I S B N |
: |
2006103132 |
| 정가 |
: |
60,000원
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| 판매가 |
: |
60,000원
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| 특징 |
본 보고서는 현재 사용되고 있거나 가까운 장래에 새로운 Lithography 기술로서 가능성이 높은 Immersion Lithography,
EUV Lithography, X선 Lithography, Nano Imprint Lithography의 4가지 새로운 Lithography 기술에 대하여 알아보며
기술의 일부 지표로서 특허동향을 통하여 향후의 기술흐름을 분석하였습니다. |
| 주요목차 |
제1장 서 론
보고서 작성 목적 및 배경
제2장 차세대 Lithography 기술동향
■ Immersion Lithography
■ EUV Lithography
■ X선 Lithography
■ Nano Imprint Lithography
제3장 차세대 Lithography의 주제별 특허동향
■ Immersion Lithography 특허의 전반적 동향
1. 국가별 출원국의 특허동향
1.1 한국 출원 국가 분포
1.2 일본 출원 국가 분포
1.3 미국 출원 국가 분포
1.3.1 미국등록특허의 출원 국가 분포
1.3.2 미국등록특허의 출원 국가 분포
2. 연도별 출원량의 특허동향
2.1 한국 연도별 출원 분포
2.2 일본 연도별 출원 분포
2.3 미국 연도별 출원 분포
2.3.1 미국등록특허 연도별 등록 분포
2.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
3. 국가별 출원인의 특허동향
3.1 한국 출원인 분포
3.2 일본 출원인 분포
3.3 미국 출원인 분포
3.3.1 미국등록특허 연도별 출원 분포
3.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
■ EUV Lithography 특허동향
1. 국가별 출원국의 특허동향
1.1 한국 출원 국가 분포
1.2 일본 출원 국가 분포
1.3 미국 출원 국가 분포
1.3.1 미국등록특허의 출원 국가 분포
1.3.2 미국등록특허의 출원 국가 분포
2. 연도별 출원량의 특허동향
2.1 한국 연도별 출원 분포
2.2 일본 연도별 출원 분포
2.3 미국 연도별 출원 분포
2.3.1 미국등록특허 연도별 등록 분포
2.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
3. 국가별 출원인의 특허동향
3.1 한국 출원인 분포
3.2 일본 출원인 분포
3.3 미국 출원인 분포
3.3.1 미국등록특허 연도별 출원 분포
3.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
■ X선 Lithography 특허의 전반적 동향
1. 국가별 출원국의 특허동향
1.1 한국 출원 국가 분포
1.2 일본 출원 국가 분포
1.3 미국 출원 국가 분포
1.3.1 미국등록특허의 출원 국가 분포
1.3.2 미국등록특허의 출원 국가 분포
2. 연도별 출원량의 특허동향
2.1 한국 연도별 출원 분포
2.2 일본 연도별 출원 분포
2.3 미국 연도별 출원 분포
2.3.1 미국등록특허 연도별 등록 분포
2.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
3. 국가별 출원인의 특허동향
3.1 한국 출원인 분포
3.2 일본 출원인 분포
3.3 미국 출원인 분포
3.3.1 미국등록특허 연도별 출원 분포
3.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
■ Nano Imprint Lithography 특허의 전반적 동향
1. 국가별 출원국의 특허동향
1.1 한국 출원 국가 분포
1.2 일본 출원 국가 분포
1.3 미국 출원 국가 분포
1.3.1 미국등록특허의 출원 국가 분포
1.3.2 미국등록특허의 출원 국가 분포
2. 연도별 출원량의 특허동향
2.1 한국 연도별 출원 분포
2.2 일본 연도별 출원 분포
2.3 미국 연도별 출원 분포
2.3.1 미국등록특허 연도별 등록 분포
2.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
3. 국가별 출원인의 특허동향
3.1 한국 출원인 분포
3.2 일본 출원인 분포
3.3 미국 출원인 분포
3.3.1 미국등록특허 연도별 출원 분포
3.3.2 미국공개특허 연도별 출원 분포
■ 기술 분야별 특허동향
1. 특허활동지수(Activity Index) 분석
1.1 한국 주요 출원국가의 기술 분야별 A.I.
1.2 일본 주요 출원국가의 기술 분야별 A.I.
1.3 미국등록특허 주요 출원국가의 기술 분야별 A.I.
1.4 미국공개특허 주요 출원국가의 기술 분야별 A.I.
2. 기술 분야별 특허인용도 분석
2.1 Immersion Lithography의 주요 출원국가별 특허인용도
2.2 EUV Lithography의 주요 출원국가별 특허인용도
2.3 X선 Lithography의 주요 출원국가별 특허인용도
2.4 Nano Imprint Lithography의 주요 출원국가별 특허인용도
제4장 결 론
결 어
1. Immersion Lithography
2. EUV Lithography
3. X선 Lithography
4. Nano Imprint Lithography
5. 기술별 요약
6. 결 론
◈ 참여연구원
소 속 : 한국특허정보원
총괄 책임자 : 전 동 찬
사업 책임자 : 조 대 훈
과제 책임자 : 민 경 필
참여 연구원 : 한 동 희, 강 민 석, 김 은 희, 박 민 수 |
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